Micro LED在性能上幾乎是無懈可擊的，但顯示技術的現(xiàn)狀還許多難點，Micro LED 還有很長的一段路要走，也相信通過時間的推移，Micro LED也許會成為所有顯示技術的終結者。

早在2014年，蘋果收購了一家以研發(fā)M i c r o LED為主的微型公司LuxVue Technology，自此Micro LED顯示，開始逐漸步入了普通大眾的視野。

    LED顯示屏具有高亮度、單點可控、色彩飽滿、節(jié)能環(huán)保、壽命長等優(yōu)勢，也是當今唯一的一種可以用于戶外的顯示技術。從現(xiàn)存的面板顯示技術來看，Micro LED具有非常顯明的優(yōu)勢。

液晶LCD顯示最大的問題，第一是亮度不夠，不適合戶外環(huán)境。第二是液晶技術很難把顯示面積做大，而液晶單元拼接顯示又會產(chǎn)生非常明顯的拼縫。而LED顯示屏天然亮度高，非常適合戶外環(huán)境的使用；LED顯示屏可以無限拼接，再大的顯示面積都不是問題。同時，LED顯示的耗電量也只是液晶LCD的十分之一，節(jié)能效果明顯。

與有機OLED顯示技術相比較，因為LED是無機的，所以使用壽命會更長。同時它的耗電量是OLED的一半，戶外顯示效果更好。Micro LED還能和OLED一樣做成柔性可彎曲的曲面。

    更為重要的一點，Micro LED還可以同時具備發(fā)光能力與感測能力，也就是說，他還可以整合傳感器的功能。因此，Micro LED的應用還有很多可以想象的空間。

從目前來看，Micro LED的性能幾乎是無懈可擊的，具有所有顯示技術的優(yōu)點。

我們LED顯示屏，包括最小的小間距顯示屏所使用的芯片尺寸，大約在100μm以上。而Micro LED的芯片需要使用與目前芯片完全不同的生產(chǎn)技術，尺寸最小可以做到幾個μm.業(yè)界對Micro LED芯片大小還沒有最終明確的定義。大多數(shù)人認為，芯片尺寸最少做到小于50μm，才可以被稱為是Micro LED的技術范疇。

上圖中最核心關鍵的是第一和第二步。

第一步，LED晶片的微縮制程。目前有三種技術途徑可實現(xiàn)微縮制程：Chip Bonding（芯片焊接）、Wafer Bonding（晶片焊 接）、Thin film transfer（薄膜轉移）。但是只有后兩種可以實現(xiàn)巨量轉移。

通過晶片微縮制程，業(yè)界已有多家的技術水平可以把芯片做到的50-100μm。Sony公司 的CLEDIS芯片尺寸達到20μm，蘋果的技術平是10μm。另外，實驗室里，也已經(jīng)成功做到3μm 甚至1μm。

第二步, 就是巨量轉移技術，如何把數(shù)量龐大的微米級的芯片轉移到電路基板上，也是 Micro LED目前最大的技術瓶頸。巨量轉移技術涉及到生產(chǎn)設備精密度、制程良率、產(chǎn)出速度、檢測設備及儀器的精確穩(wěn)定性、壞點維修方式、制程加工成本的降低等。涉及的產(chǎn)業(yè)橫跨LED、半導體、面板上下游供應鏈，技術門檻相當高。

    舉個例子，關于產(chǎn)出速度。目前用于制造傳統(tǒng)LED顯示屏的固晶機，每秒可在基板上貼裝1到10個LED，通過目前的方法生產(chǎn)全高清200萬像素的100英寸顯示器需要30多天。因此，如果用現(xiàn)在的貼片機生產(chǎn)工Micro LED，產(chǎn)能幾乎是無法想象的。韓國機械和材料研究所研發(fā)出一項卷軸專利技術，這種滾動轉移工藝每秒可以轉移10,000余個LED，可在一個小時內完成整個過程。

誠然，Micro LED還有很長的路要走。除了上述的量產(chǎn)制程挑戰(zhàn)以外，芯片本身的一致性以及如何維修等，都還是尚待解決的難題。Sony就是因為在研發(fā)Micro LED電視應用上遇到了巨大的困難,才轉而把此技術應用到了大屏幕。

對Micro LED技術的探索，目前還局限在非常小面積的顯示需求，例如手表、手機、可穿戴裝置等。而對微間距技術的研發(fā)，又催生了Mini LED技術。它的芯片尺寸大約在 50μm—100μm之間，短期內可期待的應用有電視背光和車用照明等。

對Micro LED顯示技術的研發(fā)，匯聚了全球范圍內的眾多傳統(tǒng)和初創(chuàng)的科技公司，其技術發(fā)展用日新月異來形容，毫不為過。假以時日，Micro LED也許最終將成為所有顯示技術的終結者。