圖片來源:中微公司
項目進展方面,2023年7月,14萬平方米的中微公司南昌生產(chǎn)研發(fā)基地落成并投入使用;目前,位于滴水湖畔的中微臨港總部暨研發(fā)大樓也正在建設(shè)中,建成后占地面積約10萬平方米。未來,中微公司的生產(chǎn)和研發(fā)基地總面積將達到約45萬平方米。
業(yè)務(wù)進展方面,中微公司在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、MOCVD設(shè)備等領(lǐng)域均取得了突破。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域,憑借刻蝕設(shè)備雙臺機技術(shù),中微公司率先提出“皮米級”加工精度概念,其刻蝕精度已經(jīng)達到100“皮米”以下水平,相當于頭發(fā)絲350萬分之一的精準度,能夠滿足90%以上的刻蝕應(yīng)用需求。
半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域,中微公司推出了Preforma Uniflex® CW、Preforma Uniflex® HW、Preforma Uniflex® AW等多款新產(chǎn)品。此外,其新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備等多款新產(chǎn)品,也會在近期投入市場驗證。
在MOCVD設(shè)備領(lǐng)域,中微公司自推出第一代MOCVD設(shè)備PRISMO A7®以來,不斷豐富產(chǎn)品線且快速升級迭代,目前在Mini LED等氮化鎵基設(shè)備領(lǐng)域,中微公司的市場占有率穩(wěn)居前列,并持續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD設(shè)備。