4月6日，華引芯發(fā)布了全新自研0.4英寸Micro LED模組。該模組集成了129600個(gè)像素點(diǎn)，最小芯片單元尺寸及像素間距為18μm，擁有480270分辨率，超25000cd/㎡的亮度及100000:1的對(duì)比度，適用于AR、汽車抬頭顯示（HUD）、智能光源顯示等領(lǐng)域。

華引芯介紹，相比采用約2萬(wàn)顆Mini LED燈珠的高階Mini LED顯示模組，本次其推出的Micro LED模組擁有129600個(gè)可單獨(dú)驅(qū)動(dòng)的像素點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了像素級(jí)控光效果，比Mini LED的分區(qū)背光控制更加直接和純粹。

華引芯指出，EQE是指發(fā)射到外部的光子數(shù)與流過(guò)結(jié)的載流子數(shù)目之比，EQE越大，LED發(fā)光效率越高。而解決Micro LED的發(fā)光效率問題，是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的基礎(chǔ)。Micro LED尺寸小，在大屏幕上受到比較嚴(yán)重的側(cè)壁效應(yīng)影響，各種側(cè)壁缺陷主要在蝕刻過(guò)程中出現(xiàn)，這些缺陷會(huì)導(dǎo)致非輻射復(fù)合。在低電流密度下，Micro LED的效率將非常低下。對(duì)此，華引芯認(rèn)為可以通過(guò)優(yōu)化LED芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、改善工藝流程等來(lái)減少側(cè)壁效應(yīng)，從而提升EQE。

本次推出的Micro LED新品，華引芯就采用了Die-to-Wafer Bonding轉(zhuǎn)移方案，并通過(guò)新型LED芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及改進(jìn)工藝等方法提升了芯片的EQE，產(chǎn)品良率及性能得到顯著的提升。此外，華引芯從芯片到封裝再到模組的所有環(huán)節(jié)都是自主設(shè)計(jì)制造，有助于其提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性，進(jìn)而幫助控制成本，有望推動(dòng)Micro LED的量產(chǎn)進(jìn)程。

不過(guò)，華引芯也提到，目前Micro LED技術(shù)仍然面臨一些技術(shù)壁壘，除了芯片效率、巨量轉(zhuǎn)移及全彩化之外，電源驅(qū)動(dòng)、背板、檢測(cè)與修復(fù)技術(shù)等方面也還未達(dá)到量產(chǎn)的水平，因此，Micro LED的量產(chǎn)還需靠全產(chǎn)業(yè)鏈的共同推動(dòng)。