2.5微米AMuLED顯示面板由JBD專有的混合集成技術制造。在混合集成工藝中，首先在MOCVD的襯底（例如藍寶石和GaAs）上生長超薄InGaN（用于藍色和綠色）和AlInGaP（用于紅色）外延層。然后將完整的外延層片與襯底晶片分離，并在低于350℃的溫度下粘合到CMOS晶片上。這種晶圓級外延轉(zhuǎn)移消除了對準鍵合的需要，并顯著提高了像素產(chǎn)量，均勻性和制造產(chǎn)量。

在外延層轉(zhuǎn)移之后，通過標準的光刻和蝕刻步驟將薄外延層薄片轉(zhuǎn)換成CMOS背板晶片上的發(fā)射器陣列。隨后通過光刻，鈍化和金屬化循環(huán)制作電接觸。 

將晶片切割成芯片之前，在單片晶片級刻度上的發(fā)射器上制造諸如微透鏡和反射器陣列的光學元件。為了實現(xiàn)所需的光準直，發(fā)射器臺面直徑被設計為像素間距的三分之一左右。因此，對于2.5μm像素間距，發(fā)射器臺面直徑小于1微米，如圖1中的掃描電子顯微鏡圖像所示。

圖1：由JBD專有的混合集成技術制造的AMuLED顯示面板

除了推動單色像素發(fā)射器尺寸的界限，該公司還在探索多色微顯示器面板。通過堆疊多片空白外延層和CMOS背板晶片來制造這些多色面板。在外延層堆疊之后是III-V /化合物半導體薄膜處理序列。在不使用對準鍵合或拾取位置的情況下，可以實現(xiàn)期望的像素產(chǎn)率和均勻性。 

與DLP和LCOS相比，AMuLED顯示面板不需要照明光源。III-V /氮化物化合物半導體光的發(fā)射和CMOS的數(shù)字圖像控制集成在0.5mm厚的芯片中。這種混合集成顯著降低了VR或AR設備中光學系統(tǒng)的復雜性。此外，與OLED微發(fā)射器相比，化合物半導體發(fā)射器提供更高的光輸出強度。 

例如，JBD的2.5μm像素間距AMuLED顯示面板在625nm處提供100萬cd·m -2，比OLED微顯示器性能高出幾個數(shù)量級。此外，AMuLED顯示面板無需任何移動部件且不含有機材料，可在較寬的溫度范圍（-50℃至100℃）和惡劣的環(huán)境（振動和紫外線輻射）下使用，具有高可靠性和長壽命。