影響LED透明屏壽命的因素有內(nèi)因和外因，內(nèi)因有外圍部件性能、LED發(fā)光器件的性能、產(chǎn)品抗疲勞性能;內(nèi)因有LED透明屏的工作環(huán)境等等。

LED的長時間工作會光衰引起老化，尤其對大功率LED來說，光衰問題更加嚴重。在衡量LED的壽命時，僅僅以燈的損壞來作為LED顯示屏壽命的終點是遠遠不夠的，應該以LED的光衰減百分比來規(guī)定LED的壽命，比如5%或10%，這樣更有意義。

光衰:在對感光鼓表面充電時，隨著電荷在感光鼓表面的積累，電位也不斷升高，最后達到"飽和"電位，就是最高電位。表面電位會隨著時間的推移而下降，一般工作時的電位都低于這個電位，這個電位隨時間自然降低的過程，稱之為"暗衰"過程。感光鼓經(jīng)掃描曝光時，暗區(qū)(指未受光照射部分的光導體表面)電位仍處在暗衰過程;亮區(qū)(指受光照射部分的光導體表面)光導層內(nèi)載流子密度迅速增加，電導率急速上升，形成光導電壓，電荷迅速消失，光導體表面電位也迅速下降。稱之為"光衰"，最后趨緩。

光致衰退效應:也稱S-W效應。a-Si∶H薄膜經(jīng)較長時間的強光照射或電流通過,在其內(nèi)部將產(chǎn)生缺陷而使薄膜的使用性能下降,稱為Steabler-Wronski效應。對S-W效應的起因,至今仍有不少爭議,造成衰退的微觀機制也尚無定論,成為迄今國內(nèi)外非晶硅材料研究的熱門課題�？偟目捶ㄕJ為,S-W效應起因于光照導致在帶隙中產(chǎn)生了新的懸掛鍵缺陷態(tài)(深能級),這種缺陷態(tài)會影響a-Si∶H薄膜材料的費米能級EF的位置,從而使電子的分布情況發(fā)生變化,進而一方面引起光學性能的變化,另一方面對電子的復合過程產(chǎn)生影響。這些缺陷態(tài)成為電子和空穴的額外復合中心,使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。

在a-Si∶H薄膜材料中,能夠穩(wěn)定存在的是Si-H鍵和與晶體硅類似的Si-Si鍵,這些鍵的鍵能較大,不容易被打斷。由于a-Si∶H材料結構上的無序,使得一些Si-Si鍵的鍵長和鍵角發(fā)生變化而使Si-Si鍵處于應變狀態(tài)。高應變Si-Si鍵的化學勢與H相當,可以被外界能量打斷,形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如果斷裂的應變Si-Si鍵沒有重構,則a-Si∶H薄膜的懸掛鍵密度增加。為了更好地理解S-W效應產(chǎn)生的機理并控制a-Si∶H薄膜中的懸掛鍵,以期尋找穩(wěn)定化處理方法和工藝,20多年來,國內(nèi)外科學工作者進行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“defectpool”模型等,但至今仍沒有形成統(tǒng)一的觀點。

不同品牌led顯示屏的光衰是不同的，通常led顯示屏廠家會給出一套標準的光衰曲線。高溫導致的led顯示屏光通量衰減是不可恢復的，led顯示屏沒有發(fā)生不可恢復的光衰減前的光通量，稱為led顯示屏的“初始光通量”。

要解決LED顯示屏的光衰問題，可以從哪些方面努力呢？

1) 在LED顯示屏的原材料環(huán)節(jié)，要降低LED燈的亮度衰減，首先必須解決LED燈的散熱問題，因此選用高光效的LED芯片，導熱性好的支架、封裝材料等都可以降低結溫。

2) 在LED顯示屏的生產(chǎn)環(huán)節(jié)，像素間距的選擇、穩(wěn)定性好的驅動IC，PCB材質(zhì)的選擇、散熱性好的電路設計、LED箱體的散熱不均等問題，都會影響LED顯示屏的光衰。

3) 在LED顯示屏的使用環(huán)節(jié)，屏體的環(huán)境溫度、工作時間、播放畫面等因素都會影響LED顯示屏的光衰。